InGaAs кремниево-германиевый фотодиод с лавинным эффектом

Лавинный фотодиод с режимом Гейгера InGaAs – продукт, разработанный специально для приложений однофотонного счета. Эффективное обнаружение одного фотона данным устройством осуществляется за счет приложения рабочего напряжения выше пробивного (то есть работает в «режиме Гейгера»), падающих фотонов на основе большого усиления внутри лавинного диода, что создает большой ток. В сочетании с подобранной схемой обнаружения внешних импульсов может быть достигнуто однофотонного обнаружения с длиной волны 0,95-1,65 мкм.
Продукт имеет две структуры упаковки, такие как коаксиальный патч-корд и интегрированная холодильная бабочка, а также может быть разработан на заказ в соответствии с потребностями заказчика в применении.

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Типовое применение
Высокоскоростная оптоволоконная связь
Волоконно-оптическое зондирование
Быстрое обнаружение оптического импульса
Лазерное измерение дальность
Однофотонное обнаружение

Ключевая характеристика
высокая чувствительность
Низкая емкость, низкий уровень шума
Высокая рабочая частота
Высокая надежность

Показатели и параметры

Технические параметры

Технические показатели

Напряжение обратного пробоя
Темный ток
Эффективность обнаружения
Скорость темного счета
Вероятность последующего импульса
TEC Перепад температур охлаждения
Рабочая температура
Температура хранения
Потребляемая мощность холодильника
Чувствительность к электростатическому разряду
Максимальное напряжение холодильника
Максимальное значение тока холодильника
NTC (Терморезистор)
Диапазон сопротивления выборки TR

≤90V（@Tamb=25°C±3°C，IR=10uA, Φe=0）
≤2nA（@Tamb=25°C±3°C，VDC=(VBR-1)V, Φe=0）
20%（@Tth=-30°C±3°C，fgate=1.25GHz，λ=1550nm±50nm)
≤5kHz（@Tth=-30°C±3°C，fgate=1.25GHz，PDE=20%）
≤6%（@Tth=-30°C±5°C，λ=1550nm±50nm，fgate=1.25GHz，PDE=20%，tdead=1000ns）
≤60°C（@ITEC=Imax，Tamb=+50°C，PED=20%）
-40-45°C
-50-70°C
≤9.52W
250V
11.9V
0.8A
RT=10KΩ@25°C
50Ω±10Ω