InGaAs однофотонный детектор 4x4 массива

InGaAs однофотонный детектор 4×4 массива

Этот продукт состоит из однофотонного лавинного фотодиодного чипа (SPAD) InGaAs с массивом 4 * 4, модуля детектора, соединенный обратной сваркой чипов основной и пассивной закалительной цепи CMOS, модуля инвертора напряжения, модуля охлаждения, модуля управления сигналом. В режиме работы Гейгера элементы изображения узлов детектора работают независимо и свободно, обнаруживая слабый световой сигнал в ближнем инфракрасном диапазоне от 0,95 до 1,65 мкм, выводя электрический сигнал TTL в режиме реального времени.

СВЯЗАТЬСЯ С НАМИ

Типовое применение
Измерение дальности через туман, дымку, сажу и т.д.
Лазерное предупреждение в ближнем инфракрасном диапазоне
Дальное лазерное измерение дальности
Дальняя космическая лазерная связь

Ключевая характеристика
Спектральный диапазон отклика 0,95-1,65мкм
Используя металлическую упаковку, устройство имеет легкий вес и ловкий
Независимость и свободная работа элемента изображения
Слабый фотонный сигнал, обнаруживаемый элементом изображения
Порог обнаружения сигнала мертвого времени и лавины Гейгера регулируемый

Показатели и параметры
Технические параметры	Технические показатели
Тип устройства Масштаб массива Размер элемента изображения Размер светочувствительной поверхности Оптическое окно Расстояние между светочувствительной поверхностью и наружной Поверхностью оптического окна Рабочая длина волны Эффективность обнаружения Скорость темного счета Временная тряска Мертвое время Эффективный коэффициент приличных элементов Рабочая температура Температура хранения Потребляемая мощность	InGaAs APD 4 * 4 100мкм * 100мкм 85мкм * 85мкм Кварцевое оптическое окно 4 мм (толщина оптического окна 1 мм) 0,95мкм ~ 1,65мкм ≥10% (1,57 ± 0,05 мкм) ≤10 кГц ≤500пс 100-1000нс регулируемый 100% -40-+55 °C -40-+70 °C ≤15 Вт